今天就為大家講解一下碳化硅二極管的應(yīng)用領(lǐng)域及優(yōu)勢(shì)?！ ∫弧⑻?yáng)能逆變器?！ √蓟瓒O管是太陽(yáng)能發(fā)電用二極管的基本原材料，碳化硅二極管在各項(xiàng)技術(shù)指標(biāo)上都優(yōu)于普通雙極二極管技術(shù)。碳化硅二極管的通斷狀態(tài)切換速度..
2020-10-15CoolMOS的使用是一個(gè)趨勢(shì)，因?yàn)槠矫鍹OS已經(jīng)不能滿(mǎn)足電源的效率溫度等需求。CoolMOS的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)1.導(dǎo)通阻抗小，導(dǎo)通損耗小由于SJ-MOS的Rdson遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于VDMOS，在系統(tǒng)電源類(lèi)產(chǎn)品中SJ-MOS的..
2020-10-08肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士命名的，SBD是肖特基勢(shì)壘管（SchottkyBarrierDiode,縮寫(xiě)成SBD）的簡(jiǎn)稱(chēng)。SBD不是利用P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體接觸形成PN結(jié)原理制作的，而是利用金屬與半..
2020-09-30Coolmos過(guò)EMI電磁干擾的控制手段SEMIHOW利用多層外延工藝實(shí)現(xiàn)的COOLMOS產(chǎn)品助力工程師對(duì)產(chǎn)品的小型化設(shè)計(jì),并解決EMI,EMC測(cè)試不好通過(guò)的問(wèn)題。多層外延工藝，通過(guò)優(yōu)化內(nèi)部的電容和電阻來(lái)減少E..
2020-09-28SemiHow的總部位于韓國(guó)，擁有先進(jìn)的半導(dǎo)體技術(shù)，基于中國(guó)和中國(guó)先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)的高質(zhì)量生產(chǎn)。以中國(guó)公司的牢固合作伙伴關(guān)系為基礎(chǔ)。具有獨(dú)特競(jìng)爭(zhēng)能力，并且主要專(zhuān)注于中國(guó)市場(chǎng)。為了得到快速響應(yīng)，coolMOS產(chǎn)品選..
2020-09-28英屬開(kāi)曼群島商虹揚(yáng)發(fā)展科技股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)虹揚(yáng))主要從事設(shè)計(jì)、研發(fā)、制造、銷(xiāo)售、半導(dǎo)體整流功率分離式組件。我們有業(yè)界最優(yōu)質(zhì)的研發(fā)團(tuán)隊(duì)，最新式全自動(dòng)生產(chǎn)設(shè)備，最嚴(yán)謹(jǐn)質(zhì)量控管機(jī)制，提供給您最優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品，虹揚(yáng)發(fā)..
2020-09-28電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)EMI的控制手段●設(shè)計(jì)低阻抗電源系統(tǒng)，確保在低于fknee頻率范圍內(nèi)的電源分配系統(tǒng)的阻抗低于目標(biāo)阻抗?！袷褂脼V波器，控制傳導(dǎo)干擾?！耠娫慈ヱ?。在EMI設(shè)計(jì)中，提供合理的去耦電容，能使芯片可靠工作，并..
2020-09-281200V1400V1600V整流橋堆虹揚(yáng)科技面向全球市場(chǎng)推出為了得到快速響應(yīng)，產(chǎn)品選型報(bào)價(jià)咨詢(xún)請(qǐng)通過(guò)電話聯(lián)系。聯(lián)系人：曾先生153-3800-0102
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