SEMIHOW超結(jié)MOS一級(jí)代理商-東莞市美瑞電子有限公司聯(lián)系人：153-3800-0102曾先生文章轉(zhuǎn)載自充電頭網(wǎng)，以下為全文：充電頭網(wǎng)近日拆解了一款三星手機(jī)原裝25WPD快充充電器，作為Note10、S10..
2020-12-12一、mos管的特點(diǎn) 1.mos管是電壓控制器件，通過VGS(柵極電壓)控制ID(漏電電流) 2.mos管的控制輸入端電流極小，因此其輸入電阻(10-10ω)大?！ ?.利用許多載流子導(dǎo)電，溫度穩(wěn)定性..
2020-12-02第一電路設(shè)計(jì)。讓mos管工作在線性工作狀態(tài)，而不是開關(guān)狀態(tài)。如果用N-mos做開關(guān)，G電平電壓要比電源高幾V才能完全導(dǎo)通，P-mos則相反。不完全打開導(dǎo)致壓降過大導(dǎo)致功耗，等效DC阻抗比較大，壓降增大，所以..
2020-12-02高壓超級(jí)結(jié)MOSFETHVSuperJunctionMOSFET）VoltagelevelPartNumberVDS(V)ID(A)25℃PD(W)25℃RDS(ON)(Ω)(VGS=10V)Qg(nC)(VG..
2020-11-20陳星弼（1931—2019），中國科學(xué)院院士、教授、博導(dǎo)，1952年畢業(yè)于同濟(jì)大學(xué)電機(jī)系，畢業(yè)后在廈門大學(xué)電機(jī)系、南京工學(xué)院（現(xiàn)東南大學(xué)）無線電系擔(dān)任助教。1956年到成都電訊工程學(xué)院（現(xiàn)電子科技大學(xué)）任教。1..
2020-11-10一、導(dǎo)通壓力下降VF。VF是二極管正向?qū)〞r(shí)二極管兩端的壓降，通過二極管的電流越大，VF越大的二極管溫度越高，VF越小。 二、反飽和漏電流IR。IR是指在二極管兩端加入反向電壓時(shí)，流過二極管的電流，肖特基..
2020-11-07今天就來為大家講解一下肖特基二極管的應(yīng)用及優(yōu)點(diǎn)?！ ∫?、應(yīng)用 肖特基二極管的結(jié)構(gòu)和特性使其適用于低壓大電流輸出場合的高頻整流，甚高頻(如X波段、C波段、S波段、Ku波段)的檢測和混頻，以及高速邏輯電路..
2020-10-27今天我們就一起來講解一下肖特基二極管的優(yōu)點(diǎn)?！ ∫弧⒂捎谛ぬ鼗鶆輭靖叨鹊陀赑N結(jié)勢壘高度，其正向?qū)ㄩT限電壓及正向壓降均小于PN結(jié)二極管(約低0.2V)。 二、由于肖特基二極管是一種多載流子導(dǎo)電器件，因此..
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