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解析CoolMOS的優(yōu)勢(shì)-美瑞電子

CoolMOS的使用是一個(gè)趨勢(shì),因?yàn)槠矫鍹OS已經(jīng)不能滿足電源的效率溫度等需求。

CoolMOS的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

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1.導(dǎo)通阻抗小,導(dǎo)通損耗小

由于SJ-MOS 的Rdson 遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于VDMOS,在系統(tǒng)電源類(lèi)產(chǎn)品中SJ-MOS 的導(dǎo)通損耗必然較之VDMOS要減少的多。

其大大提高了系統(tǒng)產(chǎn)品上面的單體MOSFET 的導(dǎo)通損耗,提高了系統(tǒng)產(chǎn)品的效率,SJ-MOS的這個(gè)優(yōu)點(diǎn)在大功率、大電流類(lèi)的電源產(chǎn)品產(chǎn)品上,優(yōu)勢(shì)表現(xiàn)的尤為突出。

2.同等功率規(guī)格下封裝小,有利于功率密度的提高

首先,同等電流以及電壓規(guī)格條件下,J-MOS 的晶源面積要小于VDMOS 工藝的晶源面積,這樣作為MOS 的廠家,對(duì)于同一規(guī)格的產(chǎn)品,可以封裝出來(lái)體積相對(duì)較小的產(chǎn)品,有利于電源系統(tǒng)功率密度的提高。

其次,由于SJ-MOS 的導(dǎo)通損耗的降低從而降低了電源類(lèi)產(chǎn)品的損耗,因?yàn)檫@些損耗都是以熱量的形式散發(fā)出去,我們?cè)趯?shí)際中往往會(huì)增加散熱器來(lái)降低MOS 單體的溫升,使其保證在合適的溫度范圍內(nèi)。

由于SJ-MOS 可以有效的減少發(fā)熱量,減小了散熱器的體積,對(duì)于一些功率稍低的電源,甚至使用SJ-MOS 后可以將散熱器徹底拿掉。有效的提高了系統(tǒng)電源類(lèi)產(chǎn)品的功率密度。

3.柵電荷小,對(duì)電路的驅(qū)動(dòng)能力要求降低

傳統(tǒng)VDMOS 的柵電荷相對(duì)較大,我們?cè)趯?shí)際應(yīng)用中經(jīng)常會(huì)遇到由于IC 的驅(qū)動(dòng)能力不足造成的溫升問(wèn)題,部分產(chǎn)品在電路設(shè)計(jì)中為了增加IC 的驅(qū)動(dòng)能力,確保MOSFET 的快速導(dǎo)通,

我們不得不增加推挽或其它類(lèi)型的驅(qū)動(dòng)電路,從而增加了電路的復(fù)雜性。SJ-MOS 的柵電容相對(duì)比較小,這樣就可以降低其對(duì)驅(qū)動(dòng)能力的要求,提高了系統(tǒng)產(chǎn)品的可靠性。

4.節(jié)電容小,開(kāi)關(guān)速度加快,開(kāi)關(guān)損耗小

由于SJ-MOS 結(jié)構(gòu)的改變,其輸出的節(jié)電容也有較大的降低,從而降低了其導(dǎo)通及關(guān)斷過(guò)程中的損耗。同時(shí)由于SJ-MOS 柵電容也有了響應(yīng)的減小,電容充電時(shí)間變短,大大的提高了SJ-MOS 的開(kāi)關(guān)速度。

對(duì)于頻率固定的電源來(lái)說(shuō),可以有效的降低其開(kāi)通及關(guān)斷損耗。提高整個(gè)電源系統(tǒng)的效率。這一點(diǎn)尤其在頻率相對(duì)較高的電源上,效果更加明顯。

MOS在發(fā)展,損耗會(huì)越來(lái)越低。電源方案只會(huì)朝著更高效率和更小體積發(fā)展。

Coolmos的宗旨是追求:開(kāi)關(guān)低損耗。在Coolmos上,是通過(guò)P柱,形成更大的PN結(jié),從而降低Rds。Coolmos降低了Rds,所以它的EAS能力較之平面管要低,這也對(duì)電源設(shè)計(jì)者提出了更高的要求。

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SEMIHOW利用多層外延工藝實(shí)現(xiàn)的COOLMOS產(chǎn)品助力工程師對(duì)產(chǎn)品的小型化設(shè)計(jì),并解決EMI,EMC測(cè)試不好通過(guò)的問(wèn)題。

較其他公司使用的溝槽超級(jí)結(jié)工藝,這些多層外延的MOSFET實(shí)現(xiàn)了前所未有的性能改進(jìn)。諸如智能手機(jī)和平板電腦充電器以及筆記本電腦適配器等電磁干擾(EMI),電磁兼容(EMC受益于此優(yōu)勢(shì)。

此外,CoolMOS支持針對(duì)小體積PD電源,電視適配器、照明、音響和輔助電源的快速開(kāi)關(guān)和高功率密度設(shè)計(jì),目前推出的量產(chǎn)品種包含600V~900V的電壓系列。

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