SEMIHOw品牌介紹

公司背景

SemiHow是一家總部位于韓國(guó)的公司，專(zhuān)注于功率半導(dǎo)體的研發(fā)和生產(chǎn)。作為韓國(guó)唯一一家生產(chǎn)所有功率分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體公司，SEMIHOw不僅是三星代工廠(chǎng)的戰(zhàn)略合作伙伴之一，還通過(guò)其20年的研發(fā)技術(shù)經(jīng)驗(yàn)和世界一流的工藝技術(shù)，確立了其在市場(chǎng)上的競(jìng)爭(zhēng)力。

主要產(chǎn)品和應(yīng)用領(lǐng)域

SEMIHOw的產(chǎn)品線(xiàn)包括多種功率半導(dǎo)體產(chǎn)品，如超金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）、平面MOSFET、絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）、這些產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于消費(fèi)、工業(yè)和汽車(chē)等領(lǐng)域，致力于通過(guò)創(chuàng)新策略引領(lǐng)汽車(chē)市場(chǎng)的發(fā)展，使地球能源更有價(jià)值。

生產(chǎn)能力和供應(yīng)鏈管理

SEMIHOw利用三星代工廠(chǎng)的生產(chǎn)能力、原材料采購(gòu)能力以及對(duì)總生產(chǎn)時(shí)間的嚴(yán)格控制，確保客戶(hù)能夠在需要的時(shí)間內(nèi)獲得產(chǎn)品。公司還通過(guò)投資超結(jié)MOSFET工藝設(shè)施和穩(wěn)定的生產(chǎn)管理能力，滿(mǎn)足客戶(hù)對(duì)高產(chǎn)量的需求。

市場(chǎng)地位和合作伙伴

SEMIHOw在全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)中占據(jù)重要地位，其產(chǎn)品不僅供應(yīng)給三星代工廠(chǎng)，還出口至多個(gè)國(guó)家和地區(qū)。公司與華潤(rùn)微電子有限公司等技術(shù)合作伙伴保持著緊密的合作關(guān)系，共同推動(dòng)功率半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展和應(yīng)用

SemiHow的MOSFET具有以下優(yōu)勢(shì)：

一、基礎(chǔ)優(yōu)勢(shì)方面

1. 高性能

   • 采用先進(jìn)技術(shù)和制造工藝，開(kāi)關(guān)特性出色，能在納秒級(jí)別完成信號(hào)放大和切換，適用于高頻電路和數(shù)據(jù)通信領(lǐng)域。

   • 產(chǎn)品的低導(dǎo)通電阻有助于降低功耗、提高能效，使設(shè)備運(yùn)行更節(jié)能。

2. 高可靠性

   • 經(jīng)過(guò)嚴(yán)格質(zhì)量控制和測(cè)試，在汽車(chē)電子、工業(yè)自動(dòng)化等對(duì)穩(wěn)定性和可靠性要求高的領(lǐng)域廣泛應(yīng)用。

   • 具備出色的抗沖擊能力和靜電放電（ESD）保護(hù)能力，在惡劣環(huán)境下穩(wěn)定性和耐用性強(qiáng)。

3. 多樣化產(chǎn)品線(xiàn)

   • 提供高壓MOSFET、低壓溝槽MOSFET、超級(jí)結(jié)MOSFET等多種類(lèi)型，滿(mǎn)足不同應(yīng)用領(lǐng)域需求。

   • 具有多種封裝形式，如TO - 220、TO - 220F、DPAK、IPAK等，方便客戶(hù)根據(jù)應(yīng)用場(chǎng)景選擇。

4. 技術(shù)支持與服務(wù)

   • 擁有專(zhuān)業(yè)技術(shù)支持團(tuán)隊(duì)，能提供及時(shí)、專(zhuān)業(yè)的技術(shù)解答和解決方案。

   • 通過(guò)代理商和分銷(xiāo)商網(wǎng)絡(luò)，為客戶(hù)提供便捷的產(chǎn)品采購(gòu)、樣品申請(qǐng)、產(chǎn)品測(cè)試等研發(fā)服務(wù)，縮短產(chǎn)品開(kāi)發(fā)進(jìn)度。

5. 市場(chǎng)應(yīng)用廣泛

   • 已成功應(yīng)用于三星、LG、華為等知名品牌電子產(chǎn)品，證明產(chǎn)品質(zhì)量和性能得到市場(chǎng)認(rèn)可。

   • 在充電器、電源、照明、顯示器、光伏、智能家居等多個(gè)領(lǐng)域廣泛應(yīng)用，展現(xiàn)強(qiáng)大的市場(chǎng)適應(yīng)性和競(jìng)爭(zhēng)力。

二、補(bǔ)充優(yōu)勢(shì)方面

1. 抗輻射能力：SemiHow有電子輻照產(chǎn)品，其trr在200ns以?xún)?nèi)，這顯示出產(chǎn)品在抗輻射方面有一定能力，可適用于特殊環(huán)境，增強(qiáng)了在特殊環(huán)境下的可靠性。

2. 低功耗應(yīng)用表現(xiàn)：在低功耗應(yīng)用中表現(xiàn)良好，例如其低導(dǎo)通電阻有助于降低功耗。并且在類(lèi)似電池供電設(shè)備中，能夠憑借低靜態(tài)功耗的特點(diǎn)，在不消耗過(guò)多能量的情況下保持開(kāi)關(guān)狀態(tài)，從而提高設(shè)備的整體能效。

3. 噪聲水平：MOSFET具有噪聲低的特點(diǎn)，這使得其適合用于對(duì)噪聲敏感的應(yīng)用場(chǎng)景，例如音頻放大器等模擬電路應(yīng)用中，能減少噪聲干擾，保障信號(hào)質(zhì)量。

4. 不同溫度環(huán)境下的性能表現(xiàn)

   • 在高溫環(huán)境下，SemiHow的MOSFET可能憑借其先進(jìn)的制造工藝和材料，保持穩(wěn)定的性能。例如在汽車(chē)發(fā)動(dòng)機(jī)控制等高溫工作場(chǎng)景中，能正常進(jìn)行信號(hào)放大、開(kāi)關(guān)控制等功能。

   • 在低溫環(huán)境中，其產(chǎn)品結(jié)構(gòu)和材料特性也能確保穩(wěn)定工作，不會(huì)因溫度降低而出現(xiàn)性能大幅下降的情況，如在一些戶(hù)外的光伏設(shè)備中，即使在低溫下也能有效進(jìn)行能量轉(zhuǎn)換等工作。

5. 多層外延工藝優(yōu)勢(shì)：SemiHow的多層外延工藝相比溝槽工藝，EMI更優(yōu)秀，抗沖擊能力強(qiáng)。例如在智能手機(jī)和平板電腦充電器以及筆記本電腦適配器等電磁干擾（EMI）、電磁兼容（EMC）要求較高的產(chǎn)品中，這種工藝有助于產(chǎn)品通過(guò)相關(guān)測(cè)試，實(shí)現(xiàn)更好的性能表現(xiàn)，并且能夠提高開(kāi)關(guān)速度和降低損耗。

6. EMI（電磁干擾）方面表現(xiàn)：采用多層外延工藝實(shí)現(xiàn)的COOLMOS產(chǎn)品能助力解決EMI、EMC測(cè)試不好通過(guò)的問(wèn)題，在諸如智能手機(jī)和平板電腦充電器以及筆記本電腦適配器等產(chǎn)品中能有效減少電磁干擾，使得產(chǎn)品在電磁兼容性方面表現(xiàn)更優(yōu)。