HCS65R380S MOSFET參數(shù)詳解

基本信息

HCS65R380S是一款超結(jié)高壓MOSFET，由Semihow公司生產(chǎn)。Semihow擁有超過10年在三星功率半導(dǎo)體工作的研發(fā)團(tuán)隊(duì)，具備強(qiáng)大的技術(shù)研發(fā)實(shí)力。該產(chǎn)品主要用于600V~900V的電壓系列，具有多種封裝形式，如TO-220、TO-220F、DPAK、IPAK等。

主要參數(shù)

電壓特性

• 最大漏極-源極電壓（VDS）：650V

• 柵極-源極電壓（VGS）：最小導(dǎo)通電壓2V，最大導(dǎo)通電壓4V

電氣特性

• 最大漏極電流（ID）：10.4A @ 25℃

• 導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）：最大0.38Ω @ VGS=10V

• 柵極電荷（Qg）：22.6nC

• 漏極-源極電容（Cds）：133pF

封裝信息

• 封裝形式：TO-220FS

工作原理

MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）是一種電壓控制元件。它利用金屬層（柵極）隔著氧化層（絕緣層）和半導(dǎo)體（源極和漏極）之間的電場效應(yīng)來控制電流的流動(dòng)。MOSFET具有高開關(guān)速度、低噪聲、高抗輻射能力等優(yōu)點(diǎn)，同時(shí)體積小、重量輕、耗電省、壽命長。

應(yīng)用領(lǐng)域

HCS65R380S因其出色的電氣特性和可靠性，廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域，特別是在需要高效能和高可靠性的電源管理電路中。其高壓特性使其成為開關(guān)電源、電機(jī)控制等應(yīng)用的理想選擇。

注意事項(xiàng)

在使用HCS65R380S時(shí)，需要注意其散熱問題，因?yàn)楦吖β什僮鲿a(chǎn)生大量熱量。建議采用合適的散熱解決方案，如安裝散熱器或使用風(fēng)扇輔助散熱。

綜上所述，HCS65R380S是一款性能優(yōu)異的超結(jié)高壓MOSFET，適用于多種高性能電力電子設(shè)備。在選擇和使用時(shí)，應(yīng)充分考慮其電氣參數(shù)和應(yīng)用需求，以確保系統(tǒng)的穩(wěn)定運(yùn)行和長期可靠性。