維安超結(jié)MOSFET 聯(lián)系人： 曾先生 153-3800-0102
制造商：Wayon（維安）
型號(hào)：WMJ36N65F2
描述：N-Channel SJ-MOSFET
封裝類型：TO-247
最大漏極電壓 (VDS)：650V
導(dǎo)通電阻 (RDS(on)) @ VGS=10V(max.)：0.105Ω
漏極電流 (ID) @ TA=25℃：36A
功率損耗 (PD) @ TA=25℃：277W
柵極電壓 (VGS)：30V
柵極閾值電壓 (VGS(th))：(Typ.) 4V
供應(yīng)商：東莞市美瑞電子有限公司
主營業(yè)務(wù)：專注于銷售功率半導(dǎo)體元器件，包括進(jìn)口semihow和維安 亞成微 龍騰等多種MOSFET產(chǎn)品。
制造商：Wayon（維安）
型號(hào)：WMJ36N65F2
描述：N-Channel SJ-MOSFET
封裝類型：TO-247
最大漏極電壓 (VDS)：650V
導(dǎo)通電阻 (RDS(on)) @ VGS=10V(max.)：0.105Ω
漏極電流 (ID) @ TA=25℃：36A
功率損耗 (PD) @ TA=25℃：277W
柵極電壓 (VGS)：30V
柵極閾值電壓 (VGS(th))：(Typ.) 4V
供應(yīng)商：東莞市美瑞電子有限公司
主營業(yè)務(wù)：專注于銷售功率半導(dǎo)體元器件，包括進(jìn)口semihow和維安 亞成微 龍騰等多種MOSFET產(chǎn)品。
Tel: +86-769-21665206
Fax: +86-769-21665256
網(wǎng)址：0431htky.com
總部地址:廣東省東莞市萬江街道華爾泰路2號(hào)五盈科技園5棟3樓
經(jīng)營產(chǎn)品：碳化硅器件、IGBT單管、IGBT模塊、肖特基/整流橋堆、低壓MOS、超結(jié)MOS管
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