WMJ53N65F2 MOSFET參數(shù)詳解

基本信息

WMJ53N65F2是一款由WAYON生產(chǎn)的N溝道超級結(jié)（Super Junction）MOSFET，具有以下基本參數(shù)：

• 型號：WMJ53N65F2

• 制造商：WAYON

• 封裝形式：TO-220F

• 漏極至源極電壓（VDS）：650V

技術(shù)參數(shù)

電氣特性

• 導(dǎo)通電阻（RDS(on)）：在VGS=10V（最大值）時(shí)，RDS(on)為0.078Ω。

• 漏極電流（ID）：在TA=25℃時(shí)，ID為50A。

• 功率損耗（PD）：在TA=25℃時(shí)，PD為34W。

• 柵極電壓（VGS）：典型值為3V。

• 開啟閾值電壓（VGS(th)）：典型值為3V。

• 市場供應(yīng)信息

• 供應(yīng)商：東莞市美瑞電子有限公司

  主營業(yè)務(wù)：專注于銷售功率半導(dǎo)體元器件，包括進(jìn)口semihow和維安 亞成微 龍騰等多種MOSFET產(chǎn)品。

• 維安超結(jié)MOSFET
  聯(lián)系人： 曾先生 153-3800-0102