120V低內(nèi)阻MOS 綠星DG120N01S
顛覆業(yè)界傳統(tǒng)的低壓MOS制程，大幅降低RDS內(nèi)阻切換損失。
臺(tái)灣綠星低壓MOS產(chǎn)品融入DG-FET深溝槽創(chuàng)新技術(shù)，將內(nèi)阻值死磕到底，肉眼可見(jiàn)的出類(lèi)拔萃。
美瑞電子致力于推動(dòng)品質(zhì)專(zhuān)線(xiàn)邁入普惠時(shí)代，帶入千行百業(yè)。
120V低內(nèi)阻MOS綠星DG120N01S顛覆業(yè)界傳統(tǒng)的低壓MOS制程，大幅降低RDS內(nèi)阻切換損失。臺(tái)灣綠星低壓MOS產(chǎn)品融入DG-FET深溝槽創(chuàng)新技術(shù)，將內(nèi)阻值死磕到底，肉眼可見(jiàn)的出類(lèi)拔萃。美瑞電子致力于推動(dòng)品質(zhì)專(zhuān)線(xiàn)邁入普惠時(shí)代，帶入千行百業(yè)。
120V低內(nèi)阻MOS 綠星DG120N01S
顛覆業(yè)界傳統(tǒng)的低壓MOS制程，大幅降低RDS內(nèi)阻切換損失。
臺(tái)灣綠星低壓MOS產(chǎn)品融入DG-FET深溝槽創(chuàng)新技術(shù)，將內(nèi)阻值死磕到底，肉眼可見(jiàn)的出類(lèi)拔萃。
美瑞電子致力于推動(dòng)品質(zhì)專(zhuān)線(xiàn)邁入普惠時(shí)代，帶入千行百業(yè)。
Tel: +86-769-21665206
Fax: +86-769-21665256
網(wǎng)址：0431htky.com
總部地址:廣東省東莞市萬(wàn)江街道華爾泰路2號(hào)五盈科技園5棟3樓
經(jīng)營(yíng)產(chǎn)品：碳化硅器件、IGBT單管、IGBT模塊、肖特基/整流橋堆、低壓MOS、超結(jié)MOS管
版權(quán)所有：Copyright ? 2019 東莞市美瑞電子有限公司 粵ICP備19137317號(hào)版權(quán)所有 模仿必究
