MOSFET在服務(wù)器電源中扮演著至關(guān)重要的角色,特別是在高效能、低損耗、高功率密度和快速響應(yīng)的電源設(shè)計(jì)中,超結(jié)MOSFET和GaN MOSFET的應(yīng)用正在逐漸取代傳統(tǒng)的硅基MOSFET。
2024-10-07超結(jié)MOS的工藝雖然復(fù)雜,但其顯著的性能提升使其在電力電子領(lǐng)域成為不可或缺的器件,特別是在需要高效率、高功率密度和低能耗的應(yīng)用場(chǎng)景中。
2024-10-07IGBT單管在大功率和高效率應(yīng)用中具有出色的表現(xiàn),但在應(yīng)用中需特別關(guān)注散熱管理、開(kāi)關(guān)速度控制和電磁干擾等問(wèn)題。合理的電路設(shè)計(jì)和合適的保護(hù)措施可延長(zhǎng)IGBT的使用壽命,提高系統(tǒng)的穩(wěn)定性和安全性。
2024-10-01在20W到2000W的電源設(shè)計(jì)中,不同功率等級(jí)適合使用不同的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。隨著功率的增大,拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的選擇會(huì)越來(lái)越傾向于效率更高、開(kāi)關(guān)器件更強(qiáng)的方案。拓?fù)溥x擇需要考慮功率等級(jí)、效率要求、成本、以及應(yīng)用場(chǎng)景中的電壓和電..
2024-09-26不同的電源拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)會(huì)使用不同的功率器件來(lái)滿足各自的電氣特性、工作效率和功率需求。下面按照主要的電源拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),介紹常見(jiàn)的功率器件選擇。
2024-09-26工業(yè)電源,消費(fèi)類電源不同拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)有各自的優(yōu)勢(shì)和缺點(diǎn),適合的場(chǎng)景也各有不同,設(shè)計(jì)時(shí)需要根據(jù)實(shí)際的應(yīng)用需求、功率等級(jí)和成本等因素來(lái)選擇合適的拓?fù)洹?/p> 2024-09-26
在OBC的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中,IGBT主要用于PFC電路和DC-DC轉(zhuǎn)換電路,IGBT在車載OBC產(chǎn)品中的核心作用是實(shí)現(xiàn)高效的電能轉(zhuǎn)換,提升功率密度,并在高壓高頻工作環(huán)境下保持高可靠性。
2024-09-26碳化硅內(nèi)絕緣封裝結(jié)構(gòu)是通過(guò)多層絕緣、導(dǎo)熱、和保護(hù)結(jié)構(gòu)的集成,確保SiC器件在高壓、高溫、高功率條件下穩(wěn)定運(yùn)行。通過(guò)選擇合適的材料和封裝設(shè)計(jì),可以最大程度地發(fā)揮碳化硅的高性能優(yōu)勢(shì),使其廣泛應(yīng)用于電動(dòng)汽車、工業(yè)電力..
2024-09-24