揚(yáng)州虹揚(yáng)科技的橋堆產(chǎn)品，具備較高的正向浪涌電流能力，如 GBU810、GBU410 等產(chǎn)品可增強(qiáng)電路的穩(wěn)定性和可靠性。
2025-01-10開關(guān)電源的EMI整改需要綜合考慮多個(gè)方面和策略，包括濾波器應(yīng)用、電感與電容組合、PCB設(shè)計(jì)優(yōu)化、元件選擇與優(yōu)化、變壓器繞制與屏蔽、元件布局與屏蔽、接地處理以及頻率控制技術(shù)等。
2025-01-10semihow 超結(jié)MOSFET采用多層外延工藝，這種工藝相較于溝槽工藝具有更優(yōu)秀的EMI表現(xiàn)和更強(qiáng)的抗沖擊能力。
2025-01-09通過(guò)了解雷擊浪涌的起因、采取防護(hù)措施、進(jìn)行雷擊浪涌測(cè)試以及注意相關(guān)事項(xiàng)，可以有效地應(yīng)對(duì)開關(guān)電源的雷擊浪涌問(wèn)題。
2025-01-09揚(yáng)杰科技用于光伏逆變、充電樁、電源等的SiC MOSFET
2024-12-24揚(yáng)杰科技已成為行業(yè)內(nèi)少數(shù)集單晶硅片制造、芯片設(shè)計(jì)制造、器件設(shè)計(jì)封裝測(cè)試、終端銷售與服務(wù)等縱向產(chǎn)業(yè)鏈為一體的規(guī)模企業(yè)。
2024-12-23肖特基二極管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)由陽(yáng)極、陰極以及它們之間形成的肖特基勢(shì)壘構(gòu)成。其獨(dú)特的結(jié)構(gòu)和工作原理使其具有低功耗、超高速等特點(diǎn)，適用于特定的電子電路應(yīng)用。
2024-12-17多層外延工藝主要用于制造超結(jié)MOSFET器件。SEMIHOW：韓國(guó)品牌SEMIHOW的超結(jié)MOSFET產(chǎn)品采用多層外延工藝，主要面向工業(yè)電源和消費(fèi)電子市場(chǎng)。
2024-12-14Tel: +86-769-21665206
Fax: +86-769-21665256
網(wǎng)址：0431htky.com
總部地址:廣東省東莞市萬(wàn)江街道華爾泰路2號(hào)五盈科技園5棟3樓
經(jīng)營(yíng)產(chǎn)品：碳化硅器件、IGBT單管、IGBT模塊、肖特基/整流橋堆、低壓MOS、超結(jié)MOS管
版權(quán)所有：Copyright ? 2019 東莞市美瑞電子有限公司 粵ICP備19137317號(hào)版權(quán)所有 模仿必究
