碳化硅二極管是一種適用于功率半導體的革命性材料，其物理屬性遠遠優(yōu)于硅功率器件。重要特點包含榜樣性的電源開關特性、沒有反向恢復電流量、溫度基本上不容易危害電源開關個人行為和規(guī)范操作溫度范疇為-55℃至175℃。碳化硅肖特基二極管（SiCSBD）的器件選用了斷勢壘肖特基二極管構造（JBS），能夠合理減少反方向泄露電流，具有更強的耐髙壓工作能力。

　　碳化硅二極管是一種單極型器件，因而對比于傳統(tǒng)式的硅快修復二極管（SiFRD），碳化硅二極管具備理想化的反向恢復特點。在器件從正指導通往反方向阻隔變換時，基本上沒有反向恢復電，反向恢復時間低于20ns，乃至600V10A的碳化硅二極管的反向恢復時間在10ns之內(nèi)。因而碳化硅二極管能夠工作中在高些的頻率，在同樣頻率下具備高些的高效率。另一個關鍵的特性是碳化硅二極管具備正的溫度系數(shù)，伴隨著溫度的升高電阻器也慢慢升高，這與硅FRD恰好反過來。這促使碳化硅二極管特別適合串聯(lián)好用，提升了系統(tǒng)軟件的安全系數(shù)和可信性。

　　碳化硅二極管是髙壓迅速與低輸出功率耗損、耐熱緊密結(jié)合的理想化器件?，F(xiàn)階段國際性上陸續(xù)研制水準較高的多類型的碳化硅器件。SICSBD做為零修復二極管，對高頻率輸出功率電源電路有非常大改進。碳化硅二極管與眾不同的高溫特點使其在高溫自然環(huán)境的輸出功率運用中具備潛在性優(yōu)點。碳化硅二極管因髙速trr而使開關損耗減少，加上VF的改進，在輸出功率二極管中能夠說成耗損最少的二極管。碳化硅二極管因VF減少，而完成更低通斷耗損。順向特點數(shù)據(jù)圖表的鮮紅色波型是第一代SiC-SBD，深藍色是第二代，可確定VF的減少。

　　碳化硅二極管的各類性能指標均優(yōu)于一般雙極二極管技術性。碳化硅二極管通斷與關閉情況的變換速率十分快，并且沒有一般雙極二極管技術性電源開關時的反向恢復電流量。在清除反向恢復電流量效用后，碳化硅二極管的耗能減少70%，可以在寬溫度范圍內(nèi)維持高能耗等級，并提升設計方案工作人員優(yōu)化軟件輸出功率的協(xié)調(diào)能力。

　　上述所講解的就是碳化硅二極管的應用優(yōu)勢，希望看完能夠?qū)δ兴鶐椭?，如果您想要了解更多關于碳化硅二極管的相關信息的話，歡迎在線咨詢客服或是撥打本公司服務熱線（網(wǎng)站右上角）進行咨詢，我們將竭誠為您提供優(yōu)質(zhì)的服務！