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肖特基二極管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)-美瑞電子

肖特基二極管(Schottky Diode),也稱肖特基勢(shì)壘二極管,其內(nèi)部結(jié)構(gòu)相對(duì)獨(dú)特,主要由以下部分組成:

一、主要構(gòu)成部分

    • 肖特基二極管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)示意圖通常展示為一個(gè)五層器件,從下到上依次為:

    • N+陰極層:這是肖特基二極管的最底層,與陰極金屬相連,用于減小陰極的接觸電阻。

    • N型基片:位于N+陰極層之上,具有較小的通態(tài)電阻,是肖特基二極管中電子傳輸?shù)闹饕ǖ馈?/p>

    • N-外延層:這是N型基片之上的一層,摻雜濃度較低,通常使用砷等雜質(zhì)進(jìn)行摻雜。

    • 肖特基勢(shì)壘層:這是由金屬與N-外延層緊密接觸后形成的特殊區(qū)域。當(dāng)金屬與N型半導(dǎo)體接觸時(shí),由于兩者的功函數(shù)不同,會(huì)在接觸界面處形成電子勢(shì)壘,即肖特基勢(shì)壘。這個(gè)勢(shì)壘阻礙了電子從半導(dǎo)體向金屬的流動(dòng),同時(shí)也限制了反向電流的大小。

    • 陽(yáng)極金屬:這是肖特基二極管的頂層,通常由金、銀、鋁、鉬等貴金屬制成。陽(yáng)極金屬與N-外延層之間通過(guò)肖特基勢(shì)壘相連,形成二極管的整流結(jié)構(gòu)。

二、肖特基勢(shì)壘

通過(guò)調(diào)整結(jié)構(gòu)參數(shù),在N型基片和陽(yáng)極金屬之間形成肖特基勢(shì)壘。這是肖特基二極管工作的關(guān)鍵部分。

三、工作原理

  1. 正向偏壓:當(dāng)在肖特基勢(shì)壘兩端加上正向偏壓(陽(yáng)極金屬接電源正極,N型基片接電源負(fù)極)時(shí),肖特基勢(shì)壘層變窄,其內(nèi)阻變小,二極管處于導(dǎo)通狀態(tài)。

  2. 反向偏壓:當(dāng)在肖特基勢(shì)壘兩端加上反向偏壓時(shí),肖特基勢(shì)壘層變寬,其內(nèi)阻變大,二極管處于截止?fàn)顟B(tài)。

四、工藝結(jié)構(gòu)

肖特基二極管主要有兩種工藝結(jié)構(gòu):

  1. 點(diǎn)接觸結(jié)構(gòu):用一根尖端細(xì)金屬絲與半導(dǎo)體接觸制成,通過(guò)機(jī)械接觸或用放電工藝得到一個(gè)很小的合金結(jié)。

  2. 平面接觸結(jié)構(gòu):具有更大的接觸面積,通常用于需要更高電流容量的應(yīng)用。

五、特點(diǎn)與應(yīng)用

肖特基二極管具有正向?qū)▔航敌。s0.45V)、反向恢復(fù)時(shí)間短、開關(guān)損耗小等特點(diǎn),是一種低功耗、超高速半導(dǎo)體器件。然而,其反向耐壓值較低,反向漏電流較大,因此適用于低壓、大電流、高頻整流等場(chǎng)合。


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